ナノインプリント露光`(露光)(NIL)と呼ばれるこの技術はこれまでダイニッポン(大日本)印刷、キヤノンと共同研究を行った野心作だ。 回路の原版を判子を捺すようにシリコンウェハーに押して覆う方法で、この工程にかかる費用を従来の方式の3分の1に抑えることができる。

メモリー製造工程全体でみても約10%の費用を減らすことができるという。 新しい技術を適用したフラッシュメモリー生産ラインは今後3年間で、半導体事業に投入する8,600億円(約9兆3,675億ウォン)の一部を活用して整備する。

西部、三重県四日市にある工場で来年に生産を開始し,2018年から稼動する予定の新製造で量産体制に突入する。 ナンドフラッシュメモリーは、スマートフォン動画などのデータ記憶装置用に多く使われている。 これからもスマートフォンはもちろん、データセンタ向け記憶装置としても需要が増えるものと見られる。

東芝は昨年の会計操作スキャンダルが発覚した後、家電事業や医療機器の子会社売却を決定し、半導体と原子力発電設備に経営資源を集中して経営再建を急いでいる。

半導体部門でも競争力のある部門に事業を集中している中、世界占有率2位のナンドフラッシュメモリーで巨額の投資や新技術導入で三星を追撃する態勢だ。 既存技術には半導体の性能向上が厳しくなっているため、東芝を含めた世界半導体大手が次世代生産技術開発と実用化を競争している。

出典 : 電子新聞etnews (http://www.etnews.com)